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中国KAIYUN 中微公司苦求钛层千里积工艺联系专利, 轮回千里积、刻蚀使金属钛层达工艺条目

发布日期:2026-06-18 21:21 来源:未知 作者:admin 浏览次数:

中国KAIYUN 中微公司苦求钛层千里积工艺联系专利, 轮回千里积、刻蚀使金属钛层达工艺条目

6月17日音书,国度学问产权局信息裸露,中微半导体斥地(上海)股份有限公司苦求一项名为“一种金属钛层的千里积工艺”的专利。苦求公布号为CN122214841A,苦求号为CN202510559967.1,苦求公布日历为2026年6月16日,苦求日历为2025年4月29日,发明东谈主沈成绪、许灿,专利代理机构上海元好学问产权代理有限公司,专利代理师贾慧琴、张静洁,分类号C23C16/505、C23C16/14、C23C16/56、C23C16/52。

专利节录裸露,本发明公开了一种金属钛层的千里积工艺,包含:将一基片置于半导体措置斥地的响应腔中,所述基片具有几许由侧壁与底部界定的启齿;千里积要领:向所述响应腔中通入钛源先行者体及回话气体,在射频源作用下,所述钛源先行者体与所述回话气体解离,发生化学响应,在所述启齿的侧壁与底部千里积金属钛层;刻蚀要领:关闭所述射频源,开云体育向所述响应腔中通入刻蚀气体,所述刻蚀气体与所述金属钛层发生化学响应,使所述金属钛层厚度减薄;N次轮回进行所述千里积要领、刻蚀要领,直到所述金属钛层达到设定厚度及设定的台阶隐蔽率。本发明通过N次轮回进行的千里积要领、刻蚀要领,不错已毕在复杂的三维结构中造成的金属钛层的厚度和台阶隐蔽率均能达到工艺条目。

天眼查数据裸露,中微半导体斥地(上海)股份有限公司斥地日历2004年5月31日,法定代表东谈主尹志尧,所属行业为专用斥地制造业,企业界限为大型,注册本钱62614.5307万东谈主民币,实缴本钱62691.781万东谈主民币,注册地址为上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号。中微半导体斥地(上海)股份有限公司共对外投资了30家企业,参与招投标风光86次,财产陈迹方面有商标信息114条,专利信息1706条,领有行政许可88个。

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中微半导体斥地(上海)股份有限公司近期专利情况如下:

序号专利称号专利类型法律景况苦求号苦求日历公开(公告)号公开(公告)日历发明东谈主1一种射频功率供应系统发明专利本色审查的奏效、公布CN202511924458.02025-12-18CN121879506A2026-04-17倪图强、李博睿、刘依、肖尧、黄阳、邱文杰2一种工艺顶盖及气相千里积斥地实用新式授权CN202521979639.92025-09-15CN223458392U2025-10-21刘从灵、谢振南、郑振宇、柴浩瑞、姜勇、郭世平3晶圆托盘外不雅专利授权CN202530511724.12025-08-28CN309976984S2026-05-12代宇通、汪国元、黄稳、姜勇4聚焦环外不雅专利授权CN202530468204.72025-08-08CN310024085S2026-06-09范光伟、周艳5聚焦环外不雅专利授权CN202530468218.92025-08-08CN310024087S2026-06-09范光伟、周艳6聚焦环外不雅专利授权CN202530468041.22025-08-08CN310024084S2026-06-09范光伟、周艳7气体喷淋头外不雅专利授权CN202530466397.22025-08-07CN309910861S2026-04-10孟可、周艳、李开元8气体喷淋头外不雅专利授权CN202530466450.92025-08-07CN309910862S2026-04-10朱永成9气体喷淋头外不雅专利授权CN202530466394.92025-08-07CN309910860S2026-04-10周艳、李开元10接地环外不雅专利授权CN202530466452.82025-08-07CN310024083S2026-06-09周艳、李开元11一种气相千里积安装实用新式授权CN202521091304.32025-05-29CN224337694U2026-06-09何大业、王能语、刘学滨、陈冬、张泽涛、刘雯伊12一种聚焦环功率调度组件实用新式授权CN202520964307.72025-05-15CN224342273U2026-06-09田宁、叶如彬、范光伟13一种等离子体措置安装偏持敛迹环组件实用新式授权CN202520892625.72025-05-07CN224342272U2026-06-09叶如彬、范光伟、马越、孟可、田宁14一种真空吸盘、基座组件和薄膜千里积安装实用新式授权CN202520892567.82025-05-07CN224350749U2026-06-12董维、庄宇峰、付海涛、王晓明、李远15一种金属钛层的千里积工艺发明专利公布CN202510559967.12025-04-29CN122214841A2026-06-16沈成绪、许灿16响应腔、高尚宽比结构偏持造成要领发明专利授权、本色审查的奏效、公布CN202510550377.22025-04-28CN120072612B2025-07-25尹志尧、徐伟娜、张一川、张凯、丛海、刘志强17基片托盘外不雅专利授权CN202530230568.12025-04-25CN309730273S2026-01-09陈耀、王家毅、陶章峰、陆顺开18基片托盘外不雅专利授权CN202530230569.62025-04-25CN309730274S2026-01-09陈耀、王家毅、陶章峰、陆顺开19环组件及外延助长斥地实用新式授权CN202520811017.92025-04-25CN224337799U2026-06-09张辉、姜银鑫、陆顺开20一种下电极组件及等离子体措置斥地实用新式授权CN202520786770.72025-04-23CN224342271U2026-06-09叶如彬、范光伟、马越、田宁、孟可21一种半导体措置斥地偏持气体喷淋头实用新式授权CN202520786902.62025-04-23CN224343720U2026-06-09程程、李雪子22电磁线圈组件及半导体加工斥地实用新式授权CN202520763154.X2025-04-21CN224232426U2026-05-12王亚军、周国祥23一种磁控管组件及磁控溅射斥地实用新式授权CN202520736456.82025-04-17CN224337693U2026-06-09刘畅、刘恺民、王能语24一种基片措置系统实用新式授权CN202520716379.X2025-04-15CN224267209U2026-05-22徐义、陈琦、莱纳德·刘、梁冬冬、张海龙、陶珩、吴红星25一种气相千里积斥地及半导体措置系统发明专利公布CN202510444720.52025-04-09CN120830094A2025-10-24尹志尧、倪图强、丛海、请求不公布姓名、杨宽、张海龙、朱荣帅26一种升降启动组件和半导体工艺斥地实用新式授权CN202520618963.12025-04-02CN224020732U2026-03-20李琳、王许、朱永成、周艳27下电极组件及等离子体措置斥地实用新式授权CN202520539349.62025-03-25CN224123342U2026-04-14田宁、叶如彬、范光伟28一种掩膜结构造成要领发明专利本色审查的奏效、公布CN202510293724.82025-03-12CN121496378A2026-02-10罗彬、赖锋源、张海龙、尹志尧、丛海29掩膜结构偏持造成要领发明专利本色审查的奏效、公布CN202510293826.X2025-03-12CN121496322A2026-02-10罗彬、赖锋源、刘健钢、尹志尧、丛海30一种掩膜结构偏持制备要领、半导体斥地发明专利本色审查的奏效、公布CN202510293764.22025-03-12CN121496321A2026-02-10尹志尧、丛海、罗彬、赖锋源、张海龙31等离子体敛迹结构及等离子体措置斥地实用新式授权CN202520402185.22025-03-07CN224232637U2026-05-12叶如彬、马越、王洪青、范光伟32一种环组件及成膜安装实用新式授权CN202520251908.32025-02-17CN223780392U2026-01-09郭世平、姜勇、郑振宇、丁伟33一种角落环组件、下电极组件、等离子体措置安装和制备要领发明专利授权、本色审查的奏效、公布CN202510165658.62025-02-14CN119673741B2025-05-30叶如彬、范光伟、田宁、吕翌晟34一种阻抗匹配器、射频组件与等离子体措置斥地实用新式授权CN202520210442.22025-02-10CN222637222U2025-03-18卢明、李博睿、倪图强35一种半导体加工斥地偏持铁心要领发明专利授权、本色审查的奏效、公布CN202510147729.X2025-02-10CN119601451B2025-05-09李博睿、卢明、倪图强36一种化学气相千里积安装实用新式授权CN202520172387.22025-01-24CN223780352U2026-01-09杜冰洁、路今、姜银鑫37一种基座及化学气相千里积斥地实用新式授权CN202520166280.72025-01-23CN224001504U2026-03-17梁轩、徐立、吕术亮38一种下电极组件、等离子体措置斥地偏持电压铁心要领发明专利授权、本色审查的奏效、公布CN202510098695.X2025-01-21CN119517722B2025-05-13田宁、叶如彬39一种防碍结构及化学气相千里积安装实用新式授权CN202520123428.92025-01-17CN223780362U2026-01-09黄稳、李勇志、姜勇、陆顺开40缓冲安装实用新式授权CN202520107111.62025-01-16CN223780359U2026-01-09杨闰清、徐灿阳、陈冬、许灿、何大业41一种化学气相千里积安装发明专利授权CN202510073813.12025-01-16CN119932527B2026-04-10张辉、姜银鑫、姜勇42一种化学气相千里积安装实用新式授权CN202520086318.X2025-01-14CN223780351U2026-01-09陆顺开、周子琛、张辉43一种气体流量铁心阀、气体运送安装及气体供应要领发明专利本色审查的奏效、公布CN202411976013.22024-12-31CN119374033A2025-01-28徐志鹏、倪图强、连增迪44化学气相千里积斥地实用新式授权CN202423319091.32024-12-31CN223780363U2026-01-09朱泉松、庄宇峰、吕术亮、李远45一种晶圆承载组件及半导体措置斥地实用新式授权CN202423320135.42024-12-31CN223899675U2026-02-10陈星棋46一种用于气柜可燃性测试的系统及要领发明专利本色审查的奏效、公布CN202411980652.62024-12-30CN119375415A2025-01-28王治平、宋飘、宋常征、权汉钊47一种射频发生器、半导体措置斥地及使用要领发明专利授权、本色审查的奏效、公布CN202411969617.42024-12-30CN119382671B2025-09-12徐志鹏、常健、王亚军48一种半导体工艺平台实用新式授权CN202423296470.52024-12-30CN223660196U2025-12-12陶珩、何大业、许灿、王能语、杨闰清、吴红星、廖腊财、桑成松、刘学滨、陈冬、刘青、刘雯伊49一种半导体措置斥地偏持固态先行者体运送系统和运送要领发明专利授权、本色审查的奏效、本色审查的奏效、公布CN202411947571.62024-12-26CN119372628B2025-03-18庄宇峰、朱泉松、李远、孙家鑫50一种用于半导体措置斥地的气体运送安装辞谢体通路模块实用新式授权CN202423230256.X2024-12-25CN223524974U2025-11-07姜学斌、彭建录、梁冬冬、周楚秦、张嘉赫中国KAIYUN

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